একটি নিবন্ধ আপনাকে অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের একটি পুঙ্খানুপুঙ্খ বোঝার দেয়

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরগুলি বর্তমানে সিরামিক ক্যাপাসিটার ছাড়াও বিভিন্ন ধরণের ক্যাপাসিটার।. অতএব, একজন হার্ডওয়্যার ইঞ্জিনিয়ার হিসেবে, আপনাকে অবশ্যই এর বৈশিষ্ট্যগুলি আয়ত্ত করতে হবে.

আমাদের নিজস্ব অভিজ্ঞতার ভিত্তিতে, ভূমিকা অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলি বর্তমানে সিরামিক ক্যাপাসিটর ছাড়াও বিভিন্ন ধরণের ক্যাপাসিটার।. নথি লিখে, এবং আশা করি যে, অতীত পর্যালোচনা করে নতুন শিখুন, এবং আশা করি যে এটি পাঠকদের জন্য সহায়ক হবে, যাতে সবাই একসাথে শিখতে পারে এবং উন্নতি করতে পারে.

2. অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির ওভারভিউ

2.1, মৌলিক মডেল

ক্যাপাসিটার হল প্যাসিভ ডিভাইস. বিভিন্ন ক্যাপাসিটরের মধ্যে, অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরগুলির একটি বড় সিভি মান এবং একটি সস্তা দাম থাকে যখন একই আকার অন্যান্য ক্যাপাসিটরের সাথে তুলনা করা হয়. ক্যাপাসিটরের মৌলিক মডেলটি চিত্রে দেখানো হয়েছে.

ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ক্ষমতা গণনার সূত্রটি নিম্নরূপ:

তাদের মধ্যে, অস্তরক ধ্রুবক, S হল পরস্পরের মুখোমুখি দুটি মেরু প্লেটের পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফল, এবং d হল দুটি মেরু প্লেটের মধ্যবর্তী দূরত্ব (অস্তরক এর বেধ).

সূত্র থেকে দেখা যায় যে ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ক্ষমতা অস্তরক ধ্রুবকের সমানুপাতিক, এবং প্লেটের পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফল দুটি প্লেটের মধ্যবর্তী দূরত্বের বিপরীতভাবে সমানুপাতিক. অস্তরক অক্সাইড ফিল্মের অস্তরক ধ্রুবক হিসাবে (Al2O3) অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর সাধারণত 8~10 হয়, এই মান সাধারণত অন্যান্য ধরনের ক্যাপাসিটরের চেয়ে বড় নয়, কিন্তু অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল এচিং করে সারফেস এরিয়া বড় করে, এবং পাতলা হওয়ার জন্য ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল ট্রিটমেন্ট ব্যবহার করা আরও ভোল্টেজ-প্রতিরোধী অক্সিডাইজড ডাইইলেকট্রিক স্তর অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলিকে অন্যান্য ক্যাপাসিটরের তুলনায় প্রতি ইউনিট এলাকায় একটি বড় সিভি মান অর্জন করতে দেয়.

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির প্রধান উপাদানগুলি নিম্নরূপ:

এবং আশা করি যে

অস্তরক-অক্সাইড ফিল্ম (Al2O3) অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল পৃষ্ঠের উপর গঠিত

ক্যাথোড - আসল ক্যাথোড হল ইলেক্ট্রোলাইট

অন্যান্য উপাদানগুলির মধ্যে রয়েছে ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ ইলেক্ট্রোলাইট দিয়ে গর্ভবতী, এবং ক্যাথোড ফয়েল ইলেক্ট্রোলাইটের সাথে সংযুক্ত. W রাজ্য সমাধান তাপ চিকিত্সা অবস্থা বোঝায়, অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলি পোলার অ্যাসিমেট্রিক গঠন সহ উপাদান. উভয় ইলেক্ট্রোড অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল ব্যবহার করে একটি বাইপোলার (অ পোলার) ক্যাপাসিটর.

2.2. মৌলিক গঠন

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর উপাদানটির গঠন চিত্রে দেখানো হয়েছে. এটি অ্যানোড ফয়েল দিয়ে তৈরি, ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ, ক্যাথোড ফয়েল এবং টার্মিনাল (অভ্যন্তরীণ এবং বাহ্যিক টার্মিনাল) একসাথে ক্ষত, ইলেক্ট্রোলাইট দিয়ে গর্ভবতী, এবং একটি অ্যালুমিনিয়াম কেস মধ্যে বস্তাবন্দী, এবং তারপর রাবার দিয়ে সিল করা হয়.

2.3, উপাদানের বৈশিষ্ট্য

ক্যাপাসিটর অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির প্রধান উপাদান. অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল অ্যানোড হিসাবে সেট করা হয়. ইলেক্ট্রোলাইটে বিদ্যুত চালিত হওয়ার পর, একটি অক্সাইড ফিল্ম (Al2O3) অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল পৃষ্ঠের উপর গঠিত হবে. এই অক্সাইড ফিল্ম একটি অস্তরক হিসাবে কাজ করে.

অক্সাইড ফিল্ম তৈরি হওয়ার পরে অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল ইলেক্ট্রোলাইটে সংশোধনকারী বৈশিষ্ট্য সহ একটি ধাতু।, একটি ডায়োড মত, যাকে বলা হয় ভালভ ধাতু.

অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল

প্রথম, পৃষ্ঠ এলাকা প্রসারিত করার জন্য, অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল উপাদান ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল এচিংয়ের জন্য একটি জলীয় ক্লোরাইড দ্রবণে স্থাপন করা হয়. এবং দেখানো ব্যাচ পরিবাহিতা খারাপ, অ্যামোনিয়াম বোরেট দ্রবণে রেট দেওয়া ভোল্টেজের চেয়ে বেশি ভোল্টেজ প্রয়োগ করার পরে, একটি অস্তরক অক্সাইড স্তর (Al2O3) অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল পৃষ্ঠের উপর গঠিত হয়. এই অস্তরক স্তরটি একটি খুব পাতলা এবং ঘন অক্সাইড ফিল্ম, প্রায় 1.1~1.5nm/V, এবং নিরোধক রোধ প্রায় 10^8~10^9Ω/মি. অক্সাইড স্তরের পুরুত্ব প্রতিরোধী ভোল্টেজের সমানুপাতিক.

ক্যাথোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল

অ্যানোড ফয়েলের মতো, ক্যাথোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েলেরও একটি এচিং প্রক্রিয়া রয়েছে, কিন্তু কোন জারণ প্রক্রিয়া নেই. অতএব, প্রাকৃতিক জারণ মাত্র একটি ছোট পরিমাণ আছে (Al2O3) ক্যাথোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল পৃষ্ঠের উপর, এবং এটি যে ভোল্টেজ সহ্য করতে পারে তা প্রায় 0.5V.

ইলেক্ট্রোলাইট

ইলেক্ট্রোলাইট হল একটি তরল যা আয়ন দ্বারা বিদ্যুৎ সঞ্চালন করে. এটি প্রকৃত অর্থে একটি ক্যাথোড এবং এটি একটি অস্তরক স্তর হিসাবে কাজ করে যা অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েলের পৃষ্ঠকে সংযুক্ত করে।. ক্যাথোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল, কালেক্টরের মত, বাস্তব ক্যাথোড এবং অভ্যন্তরীণ সার্কিটের মধ্যে সংযোগ হিসাবে কাজ করে. ইলেক্ট্রোলাইট হল মূল উপাদান যা ক্যাপাসিটারগুলির বৈশিষ্ট্য নির্ধারণ করে (তাপমাত্রা বৈশিষ্ট্য, ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য, চাকরি জীবন, ইত্যাদি).

ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ

ইলেক্ট্রোলাইট কাগজ প্রধানত ইলেক্ট্রোলাইটের বন্টনের ভারসাম্য বজায় রাখতে এবং ক্যাথোড ফয়েল এবং অ্যানোড ফয়েলের মধ্যে ফাঁক রাখতে ভূমিকা পালন করে.

2.4. উৎপাদন প্রক্রিয়া

এচিং (প্রসারিত পৃষ্ঠ এলাকা)

এচিং এর প্রভাব হল অ্যালুমিনিয়াম ফয়েলের পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফলকে বড় করা. এচিং হল একটি ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল প্রক্রিয়া যেখানে ক্লোরাইড দ্রবণে বিকল্প বা সরাসরি প্রবাহ প্রয়োগ করা হয়.

গঠন (অস্তরক স্তর গঠন)

গঠন হল একটি অস্তরক স্তর গঠনের প্রক্রিয়া (Al2O3) অ্যানোড অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল পৃষ্ঠের উপর. সাধারনত, গঠিত অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল একটি অ্যানোড হিসাবে ব্যবহৃত হয়.

ফসল

বিভিন্ন পণ্য আকারের প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী, অ্যালুমিনিয়াম ফয়েল কাটা (ক্যাথোড ফয়েল এবং অ্যানোড ফয়েল) এবং প্রয়োজনীয় আকারের ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ.

উইন্ডিং

ক্যাথোড ফয়েল এবং অ্যানোড ফয়েলের মধ্যে ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজ ঢোকান, এবং তারপর একটি নলাকার আকারে এটি বায়ু. ঘুর প্রক্রিয়ার মধ্যে, ক্যাথোড ফয়েল এবং অ্যানোড ফয়েল টার্মিনালের সাথে সংযুক্ত.

গর্ভধারণ

গর্ভধারণ হল ইলেক্ট্রোলাইটে উপাদান নিমজ্জিত করার প্রক্রিয়া. ইলেক্ট্রোলাইট আরও অস্তরক স্তর মেরামত করতে পারে.

সীল

সিলিং হল উপাদানটিকে অ্যালুমিনিয়ামের শেলের মধ্যে স্থাপন করার এবং তারপরে একটি সিলিং উপাদান দিয়ে সিল করার প্রক্রিয়া। (রাবার, রাবার কভার, ইত্যাদি).

বার্ধক্য (মধ্যে সংস্কার করা হয়েছে)

বার্ধক্য হল উচ্চ তাপমাত্রায় সিল করা ক্যাপাসিটরে ভোল্টেজ প্রয়োগ করার প্রক্রিয়া. এই প্রক্রিয়াটি কাটা এবং ঘুরানোর প্রক্রিয়া চলাকালীন অস্তরক স্তরের কিছু ক্ষতি মেরামত করতে পারে.

সম্পূর্ণ পরিদর্শন, প্যাকেজিং

বার্ধক্যের পর, সমস্ত পণ্য বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য জন্য পরীক্ষা করা হবে. এবং টার্মিনাল প্রক্রিয়াকরণের জন্য, braiding এবং তাই. প্যাক করুন.

3. মৌলিক বৈশিষ্ট্য

3.1, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ক্ষমতা

ইলেক্ট্রোডের পৃষ্ঠের ক্ষেত্রফল যত বেশি, ক্ষমতা তত বেশি (চার্জ সঞ্চয় করার ক্ষমতা). অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের ক্যাপাসিট্যান্স মান হল 20℃ শর্তে পরীক্ষিত মান, 120Hz/0.5V অল্টারনেটিং কারেন্ট.

তাপমাত্রা বাড়ার সাথে সাথে, ক্ষমতা বৃদ্ধি পায়; তাপমাত্রা কমে যাওয়ার সাথে সাথে, ক্ষমতা হ্রাস পায়.

উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি, ক্ষমতা যত ছোট; ফ্রিকোয়েন্সি কম, ক্ষমতা যত বড়.

3.2, ক্ষতি কোণ

ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের সমতুল্য সার্কিট উপরের চিত্রে দেখানো হয়েছে (অন্তরণ প্রতিরোধের উপেক্ষা). যখন ফ্রিকোয়েন্সি 120Hz হয় (সাধারণ ক্যাপাসিটরের নামমাত্র ক্ষতির কোণ এই ফ্রিকোয়েন্সিতে পরিমাপ করা হয়), ফ্রিকোয়েন্সি সমতুল্য সিরিজ ইন্ডাকট্যান্স এল-এর তুলনায় খুবই কম, তাই এটি উপেক্ষা করা যেতে পারে L, ক্ষতি কোণ মডেল নিম্নরূপ:

ক্ষতি কোণ সূত্র প্রাপ্ত করা যেতে পারে:

ক্ষতি কোণ এবং তাপমাত্রার মধ্যে সম্পর্ক নীচের চিত্রে দেখানো হয়েছে. তাপমাত্রা যত বেশি, ক্ষতি কোণ ছোট.

কম তাপমাত্রায়, এটা দেখা যায় যে ক্ষতি কোণ অনেক বড় হয়ে যায়. এটা 0.05 20 ডিগ্রি সেলসিয়াসে এবং 0.09 -40 ডিগ্রি সেলসিয়াসে. সূত্র অনুযায়ী, ESR প্রায় দ্বিগুণ বেড়েছে.

3.3, বিদ্যুৎ সল্পতা

লিকেজ কারেন্ট অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির অন্যতম বৈশিষ্ট্য. যখন একটি ডিসি ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, অস্তরক অক্সাইড স্তর একটি ছোট কারেন্ট পাস করতে দেয়. ছোট কারেন্টের এই অংশকে লিকেজ কারেন্ট বলে. আদর্শ ক্যাপাসিটর ফুটো কারেন্ট তৈরি করবে না (চার্জিং কারেন্টের বিপরীতে, ভোল্টেজ স্থির থাকলেও এই কারেন্ট চলতে থাকবে).

ফুটো বর্তমান সময়ের সাথে পরিবর্তিত হবে, চিত্রে দেখানো হয়েছে, এটি সময়ের সাথে হ্রাসের পরে একটি স্থিতিশীল মান পৌঁছাবে. অতএব, লিকেজ কারেন্টের স্পেসিফিকেশন মান হল 20°C এ নির্দিষ্ট সময়ের জন্য রেটেড ভোল্টেজ প্রয়োগ করার পরে পরিমাপ করা মান।.

যখন তাপমাত্রা বেড়ে যায়, ফুটো বর্তমান বৃদ্ধি; যখন তাপমাত্রা কমে যায়, লিকেজ কারেন্ট কমে যায়, এবং প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ হ্রাস পায়, এবং ফুটো বর্তমান মান এছাড়াও হ্রাস.

3.4. প্রতিবন্ধকতা-ফ্রিকোয়েন্সি বক্ররেখা

মডেল অনুযায়ী, ক্যাপাসিটরের জটিল প্রতিবন্ধকতা:

প্রতিবন্ধকতার মডুলাস: 28

নীচে দেখানো হিসাবে প্রতিবন্ধকতা-ফ্রিকোয়েন্সি বক্ররেখা আঁকুন:

1/ωC হল ক্যাপাসিটিভ বিক্রিয়া, এবং চিত্রে ক্যাপাসিটিভ প্রতিক্রিয়ার সরল রেখাটি 45° নিচের দিকে কোণ করা হয়েছে. ωL হল প্রবর্তক বিক্রিয়া, এবং এর সরলরেখাটি উপরের ডান কোণে 45° কোণ গঠন করে. R সমতুল্য সিরিজ প্রতিরোধের প্রতিনিধিত্ব করে. কম ফ্রিকোয়েন্সি পরিসরে, ফ্রিকোয়েন্সি-নির্ভর অস্তরক ক্ষতির প্রভাব বড়, তাই R বক্ররেখা নিম্নগামী. উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি পরিসরে, ইলেক্ট্রোলাইট এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক কাগজের প্রতিরোধের মান প্রাধান্য পায় এবং আর ফ্রিকোয়েন্সি দ্বারা প্রভাবিত হয় না, তাই R মান স্থিতিশীল হতে থাকে.

4. সাধারণ অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের পরামিতি

নির্মাতাদের সাধারণত ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারের বিভিন্ন সিরিজ থাকে, কম ESR, দীর্ঘ জীবন, এবং উচ্চ তাপমাত্রা. সাধারণ পণ্য কর্মক্ষমতা, হ্যাঁ, সাধারণ তাপমাত্রা এবং জীবন পরামিতি হল 85℃/105℃-1000h/2000h. এই বিভাগটি এই ধরণের অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার সম্পর্কেও.

5. উচ্চ মানের অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার

এখানে উচ্চ-মানের অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরগুলি সাধারণ অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির সাথে আপেক্ষিক. কিছু বিশেষ অনুষ্ঠানে, সাধারণ অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটার আমাদের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারে না. আসলে, অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর নির্মাতারা সাধারণত একাধিক সিরিজ মডেল সরবরাহ করে. উচ্চ-মানেরগুলিকে প্রধানত তিনটি বিভাগে বিভক্ত করা হয়েছে: উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, দীর্ঘ জীবন, এবং কম প্রতিবন্ধকতা.

এবং আশা করি যে.

দীর্ঘ জীবন 5000 ঘন্টা পৌঁছাতে পারে, এবং উচ্চ তাপমাত্রা 125 ℃ পৌঁছতে পারে.

6. অস্বাভাবিক ভোল্টেজ

অস্বাভাবিক ভোল্টেজ প্রয়োগের ফলে ক্যাপাসিটরের ভিতরে তাপ এবং গ্যাস অভ্যন্তরীণ চাপ বৃদ্ধি পাবে, এবং চাপ বৃদ্ধির ফলে ভালভ খুলবে বা ক্যাপাসিটর ক্ষতিগ্রস্ত হবে.

6.1, অত্যধিক ভোল্টেজ

রেটেড ভোল্টেজের চেয়ে বেশি ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে অ্যানোড ফয়েলের রাসায়নিক বিক্রিয়া ঘটবে (একটি অস্তরক গঠন), ফুটো বর্তমান একটি দ্রুত বৃদ্ধি ফলে, যা তাপ ও গ্যাস উৎপন্ন করবে, এবং অভ্যন্তরীণ চাপও বৃদ্ধি পাবে.

এই রাসায়নিক বিক্রিয়া ভোল্টেজ বৃদ্ধির সাথে ত্বরান্বিত হবে, বর্তমান, এবং পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা. অভ্যন্তরীণ চাপ বাড়ার সাথে সাথে, ক্যাপাসিটর ভালভ খুলবে বা ক্ষতিগ্রস্ত হবে. এটি ক্যাপাসিটরের ক্ষমতা হ্রাসের কারণও হতে পারে, ক্ষতি কোণ এবং ফুটো বর্তমান বৃদ্ধি, যা ক্যাপাসিটরের শর্ট সার্কিট হতে পারে.

6.2 বিপরীত ভোল্টেজ

এবং আশা করি যে. একটি অত্যধিক ভোল্টেজ প্রয়োগ করার মত, এটি ফুটো বর্তমান দ্রুত বৃদ্ধি ঘটাবে, এবং ক্যাপাসিটরের ভিতরে তাপ ও গ্যাস উৎপন্ন হবে, যা অভ্যন্তরীণ চাপ বৃদ্ধির কারণ হবে.

এই রাসায়নিক বিক্রিয়া ভোল্টেজ বৃদ্ধির সাথে ত্বরান্বিত হবে, বর্তমান, এবং পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা. একই সময়ে, ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ক্ষমতা হ্রাস পায়, ক্ষতির কোণ বৃদ্ধি পায়, এবং ফুটো বর্তমান বৃদ্ধি.

প্রায় 1V এর বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে ক্ষমতা হ্রাস পাবে; 2V-3V এর বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করলে ক্ষমতা হ্রাস পাবে, ক্ষতির কোণ বৃদ্ধি/অথবা লিকেজ কারেন্ট বৃদ্ধি এবং ক্যাপাসিটরের আয়ু কমিয়ে দেয়. যদি একটি বড় বিপরীত ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, ভালভ খুলবে বা ক্যাপাসিটর ক্ষতিগ্রস্ত হবে.

7. ভোল্টেজ পুনরায় চালু করুন

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটর চার্জ করুন, শর্ট সার্কিট এর টার্মিনাল, এবং তারপর শর্ট-সার্কিট লাইন খুলুন এবং একটি সময়ের জন্য এটি ছেড়ে দিন, দুটি টার্মিনালের মধ্যে ভোল্টেজ আবার বাড়বে. এই সময়ের ভোল্টেজকে রিস্টার্ট ভোল্টেজ বলা হয়.

একটি ভোল্টেজ অস্তরক প্রয়োগ করা হয় পরে, একটি বৈদ্যুতিক পরিবর্তন অস্তরক ভিতরে ঘটে, এবং ডাইইলেকট্রিকের পৃষ্ঠ প্রয়োগকৃত ভোল্টেজ এবং ধনাত্মক এবং ঋণাত্মক বিপরীত চার্জ বহন করে. (মেরুকরণ) কারণ মেরুকরণের গতি দ্রুত বা ধীর, একটি ভোল্টেজ প্রয়োগ করার পরে, টার্মিনালের মধ্যে ভোল্টেজ 0V এ সেট করুন, লাইন খুলুন, এবং এটি স্থাপন করুন. ধীর মেরুকরণ প্রতিক্রিয়া সম্ভাব্য টার্মিনালগুলির মধ্যে একটি ভোল্টেজ তৈরি করে.

রিস্টার্ট ভোল্টেজের সময় পরিবর্তন চিত্রে দেখানো হয়েছে. সর্বোচ্চ মান প্রায় পরে পৌঁছেছে 10-20 দুই টার্মিনাল খোলার দিন পর, এবং তারপর ধীরে ধীরে হ্রাস পায়. এছাড়াও, বড় পণ্যের পুনরুত্থান শক্তি মান (স্ক্রু টার্মিনাল টাইপ, বোর্ড স্ব-সমর্থক প্রকার) বৃদ্ধি করতে থাকে.

রি-ভোল্টেজ হওয়ার পর, যদি দুটি টার্মিনাল দুর্ঘটনাক্রমে শর্ট সার্কিট হয়, ইগনিশন উৎপাদন লাইন শ্রমিকদের মধ্যে একটি সন্ত্রাসের অনুভূতি নিয়ে আসবে, এবং লো-ভোল্টেজ ড্রাইভিং উপাদান যেমন সার্কিটের CPU এবং মেমরিও ক্ষতিগ্রস্ত হতে পারে. প্রতিরোধমূলক ব্যবস্থা হিসাবে, প্রায় একটি প্রতিরোধের সঙ্গে জমা চার্জ নিষ্কাশন করুন 100 ব্যবহারের আগে 1K ohms.

8. অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারের জীবন

8.1. জীবনের গণনার নীতি

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারের জীবন সাধারণত এই ঘটনা দ্বারা প্রভাবিত হয় যে ইলেক্ট্রোলাইট সীলের মাধ্যমে বাইরে বাষ্পীভূত হয়, যা ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ক্ষমতা হ্রাস এবং ক্ষতি স্পর্শক মান বৃদ্ধি হিসাবে উদ্ভাসিত হয়.

এবং আশা করি যে:

k হয়: রাসায়নিক বিক্রিয়ার গতি

ক: ফ্রিকোয়েন্সি ফ্যাক্টর

ই: অ্যাক্টিভেশন শক্তি

আর: গ্যাস ধ্রুবক

টি: তাপমাত্রা

এই সূত্রটি রাসায়নিক বিক্রিয়ার হারের মধ্যে লগারিদমিক সম্পর্ককে চিত্রিত করে (ইলেক্ট্রোলাইট ক্ষতির হার) এবং তাপমাত্রা. তাপমাত্রা অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা এবং রিপল কারেন্ট দ্বারা নির্ধারিত হয়. অতএব, পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা এবং রিপল কারেন্ট অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের পরিষেবা জীবন নির্ধারণ করে.

অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলির প্রকৃত পরিষেবা জীবন সূত্র নিম্নরূপ (বিভিন্ন ক্যাপাসিটারের কিছু পার্থক্য আছে, শুধু রেফারেন্সের জন্য):

Lx হল পরিষেবা জীবন.

Lo হল গ্যারান্টিযুক্ত আজীবন মূল্য (স্পেসিফিকেশনে ঘোষিত জীবনকাল).

হল কাজের তাপমাত্রা (স্পেসিফিকেশনে তাপমাত্রার উপরের সীমা).

Tx হল প্রকৃত পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা, অ্যালুমিনিয়াম ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটরের প্রকৃত পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা.

এটা পাওয়া সহজ: প্রতিবার ক্যাপাসিটরের অপারেটিং তাপমাত্রা 10°C বৃদ্ধি পায়, ক্যাপাসিটরের আয়ু দ্বিগুণ হয়